问题一
首先掺杂后的半导体中一共有四种带点体,
带正电荷的有：1.失去一个电子后带正电的磷原子,即正电中心,2.正电空穴.
所以正电荷浓度为：ND+P
带负电荷的有：1.得到一个电子后带负电荷的彭原子,即负电中心,2.负电子.
所以负电荷浓度为：NA+N
楼主给的公式等价于：ND + P = NA + N
即整个半导体内部的正电荷浓度等于负电荷浓度,所以电中性.
问题二
至于NP=Ni^2,这个问题涉及到半导体内部电子,空穴浓度计算公式和费米能级的问题,需要经过一定推到,由于公式不太好些,我就不写了,楼主可查看国防工业出版社刘恩科写的《半导体物理学》第63页面,推到不难,楼主自己看看吧!
望有助于楼主!
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