对于半导体器件,合乎需要的通常是处在耗尽区域的材料,因为它们对温度变化相对地不敏感.耗尽区域B可通过以下措施扩大到很宽的温度范围:
a) 选择具有本征能隙大的材料
b) 选择伴生能级尽量接近相应价带或导带的掺杂物质.
对于半导体器件,合乎需要的通常是处在耗尽区域的材料,因为它们对温度变化相对地不敏感.耗尽区域B可通过以下措施扩大到很宽的温度范围:
a) 选择具有本征能隙大的材料
b) 选择伴生能级尽量接近相应价带或导带的掺杂物质.
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