温度变化时晶体管的参数将有哪些变化?
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当温度变化时,晶体管特性参数电流放大系数β、反向饱和电流ICBO、基一射极电压VBE的变化比较明显,实验证明温度每升高1℃,β约增大0.1％左右,VBE减小2～2.5mV；温度每升高10℃,iCBO约增加1倍.
以基本共射放大电路为例,当温高升高时,可见,无论是VBE的减小,还是β、ICBO的增大,都会使Ic增大,静态工作点向饱和区移动.
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